Exynos 8895 多给力 欧版三星S8 / S8+ 跑分测试

Exynos 8895 多给力 欧版三星S8 / S8+ 跑分测试

 

虽然港版Galaxy S8／S8+ 的处理器部份几可肯定配备Snapdragon 835，但就并不代表用家与三星 最新Exynos 8895 SoC 无缘，皆因除欧版水货外，未来也不乏第三厂如魅族会采用这款性能强劲之作。

要试尽这款4+4 八核SoC 的性能，近期最佳方法当然是以S8／S8+ 智能手机作测试。今天RingHK 就分别以S8 及S8+ 手机的4GB RAM／64GB 内存版本，用不同跑分App 作多方面评测。

 

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以10nm FinFET 制程生产

 

▲ 港版S8 采Snapdragon 835 SoC

 

现时深水埗及旺角楼上场、先达街场都已有Exynos 8895 版Galaxy S8 开售，大部份均为单SIM 配MicroSD 款，因此街价将较双卡版水货便宜二三百元左右；其中深之都二楼64GB 单卡版S8 叫价$5160、而S8+ 单卡版价位就在$5960 附近。

高通 Snapdragon 835 SoC 都用上三星 10nm FinFET 制程，作为自家Exynos 9 系列旗舰SoC 的Exynos 8895，当然也采用同样10nm FinFET 技术生产。它内置Cat.16 LTE 传输，采用更高速Mali-G71 MP20 显示核心，运算部份由自家高效四核配Cortex-A53 节电四核构成，及对应LPDDR4x 与UFS 2.1 等记忆和储存参数。

 

 

▲ 街场Exynos 8895 版S8 多为单SIM 版本

 

 

▲ 其他机身参数与S835 版分别不大

 

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全方位顶级跑分

今天试用的S8／S8+ 手机均为4GB RAM／64GB 内存版本，Exynos 8895 SoC 在各跑分表现相当出色，像《Antutu》就获得达171853（S8）及176367（S8+）分数，比较早前编辑部在美国以4GB 版S835 SoC 的S8+ 跑分166464 分明显为高。测试内存表现的《AndroBench》中，两款手机的读写速度均有700+ MB/s 读取、180+ MB/s 写入表现，储存表现属UFS 2.1 顶级水平。

而在《3DMark》与《PCMark》表现方面，Exynos 8895 SoC 在S8／S8+ 手机上，都交出了相当优秀的成绩。《3DMark：Sling Shot Extreme》平均3200+ 分比同级4GB RAM、S835 SoC 的智能手机约2800+ 分高出一成多表现；而《PCMark：工作2.0》平均5200+ 分成绩，就大致和4GB RAM 、S835 SoC 智能手机跑分表现相若、略低于前者。

Exynos 8895 跑分成绩：（左为S8、右为S8+）

 

▲ 受测Exynos 8895 版S8／S8+ 均为4GB 版本

 

 

▲ 两机都轻松过17 万分《Antutu》

 

 

▲ 内存均达UFS 2.1 水平

 

 

▲ 《3DMark：Sling Shot Extreme》显示了Mali-G71 的威力

 

 

▲ 《PCMark：Work 2.0》就稍逊于S835 SoC

 

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电池续航力有惊喜

 

▲ 新版《PCMark》电池测试，以真实手机应用更准评测绩航表现

 

国外专业评测网像Tom's Guide、Trusted Review 等，都对Galaxy S8／S8+ 的电源表现有优异评价。而似乎在配备节电向有口碑的Exynos 8895 SoC 后，手机在续航表现上也有出现表现。两机分别执行《PCMark：工作2.0 电池使用寿命》测试，前者获10 小时50 分成绩、而S8+ 更有达11 小时46 分表现，撇除偏差值基本和Tom's Guide 测试的10 小时39 分（S8 ）和11 小时4 分（S8+）相若，两机都足够作一整天使用而大致不怕电力不足。

 

 

▲ 从《PCMark》图表来看，两机的耗电指数均非常稳定

 

 

▲ 受测时手机Wi-Fi 为开启、亮度约30 至40 % 符合标准室内使用，而测试本身有持续视讯与音效开启、多工作业等，可靠性颇高

 

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编辑短评：

以Exynos 8895 为SoC 的S8／S8+，核心性能表现优秀，特别在3D 表现上，Mali-G71 就带来出色测试成绩，像《Antutu》 3D 部份平均72000 得分（4GB 版S835 得分为66722）；而电池测试也显示两机均有逾10 小时连续操作电池表现。可见厂方在手机整合处理器表现方面，又较前代有进一步表现。